2026年7月30日，TrendForce集邦咨询发布最新报告指出，2026年第二季度全球碳化硅（SiC）功率器件市场规模同比增长22%，达到18.6亿美元。与此同时，SiC器件平均价格同比下降15%，其中6英寸衬底价格跌幅超过20%，8英寸产线的加速导入正在改写功率半导体的市场格局。这一行情变化不仅牵动新能源汽车、光伏储能等下游产业，也为越南电子制造业带来了新的投资契机。
价格下探带动需求放量，SiC进入“以价换量”新阶段
过去几年，碳化硅器件因成本高昂，主要配置于高端车型。而2026年上半年，随着8英寸SiC衬底良率提升和规模效应显现，衬底成本较去年同期下降约30%。据报告，6英寸SiC MOSFET裸片价格已降至0.8美元/安培以下，带动车载主驱逆变器成本下降20%以上。这直接刺激了新能源车企的搭载意愿，二季度全球SiC主驱逆变器渗透率突破25%，较去年同期提升7个百分点。
除新能源汽车外，光伏逆变器、储能PCS、充电桩和工业电源领域对SiC器件的需求同样高速增长。尤其是AI数据中心的高压直流电源系统，开始大规模采用SiC器件以实现更高转换效率。多领域共振，使得SiC功率器件订单能见度已排至2027年一季度。
8英寸产线成扩产主旋律，产能竞赛加剧
面对爆发的需求，全球各大功率半导体厂商正在加速向8英寸产线转型。罗姆、意法半导体、英飞凌、安森美等一线大厂纷纷宣布扩大8英寸SiC产能，其中意法半导体在意大利的8英寸SiC晶圆厂已于2026年6月正式量产，预计2027年底月产能达2万片。国内的华润微、三安光电、天科合达也在积极导入8英寸线，并计划于今年Q4实现规模出货。
TrendForce分析师指出，8英寸产线的优势在于可有效降低边缘损耗，提升每片晶圆的裸die产出数量，较6英寸提升约1.8倍。预计到2026年底，8英寸SiC衬底在全球总产能中的占比将从此前的12%快速提升至25%，到2028年将超过50%。产线升级带来的成本红利，将进一步推动SiC替代传统硅基IGBT的进程。
供需平衡的微妙窗口
尽管需求旺盛，但产能集中释放也可能带来短暂的供过于求。报告显示，2026年三季度全球6英寸SiC产能利用率仅为78%，部分二线厂商已开始打折去库存。而8英寸线由于爬坡期良率仍在调整，实际贡献的产量有限。这种结构化分化意味着，拥有技术和产能优势的头部企业将享受更高的利润率，而中小企业面临价格压力。对于采购方而言，当前正是锁定长期订单、协商更优价格的时间窗口。
越南：SiC封测与模组生产的新兴阵地
在SiC产业链加速向亚洲转移的背景下，越南凭借靠近中国市场、劳动力成本低廉以及多项自由贸易协定优惠，正在成为功率半导体封装测试和模组制造的重要基地。2026年初，韩国秀英半导体（SooYoung Semiconductor）宣布在北宁省投资2.4亿美元建设SiC模块封测工厂，预计2027年初投产。越南本土企业FPT半导体也计划与日本罗姆合作，引入SiC肖特基二极管的测试产线。
越南政府在7月中旬批准了《半导体产业发展战略2030》，明确鼓励对功率半导体、封装测试等中后段环节的投资，并提供最高50%的资本支出补贴和五年免税期。这使得外资SiC封测项目在越南的落地速度显著加快。目前，北宁、海防和同奈等省份已成为功率模组生产的聚集区，初步形成年产能约480万个SiC模块的规模。
投资视角：关注卡位优秀的越南配套企业
对于投资者而言，SiC行情的高景气度正在向设备、材料、检测环节传导。越南虽尚未具备衬底和晶圆制造能力，但在金线焊接、端子封装、老化测试等环节已出现具备竞争力的企业。此外，围绕SiC模组的水冷散热壳体和电子元件供应商也在快速增长。那些已进入全球头部功率大厂供应链的越南企业，有望在2027年迎来订单和业绩的双重爆发。
展望：下半年SiC价格有望止跌企稳
综合供需模型预测，2026年下半年SiC器件价格跌幅将收窄至5%左右，Q4部分规格产品甚至会出现微幅反弹。主要逻辑在于8英寸线逐步良率爬坡和车规认证周期较长，实际有效供给增长有限。而需求端，随着新能源汽车年销突破2000万辆，SiC渗透率每提升1个百分点，将带动约9亿美元的新增市场。中长期来看，SiC功率半导体是半导体行情中确定性最强的赛道之一，值得持续跟踪。
未来，越南若能在封装测试环节持续积累技术和客户，完全有机会在SiC全球供应链中占据一席之地。对于密切关注半导体行情的投资者，应重点跟踪越南政府后续实施细则以及头部大厂的建厂动态，尽早布局那些具备技术壁垒和客户资源的越南本土企业。
